È in uscita Rad-hard Semiconductor Memories, pubblicazione scritta da Cristiano Calligaro e Umberto Gatti, rispettivamente CEO e Senior Microelectronic Designer presso RedCat Devices.

Il volume sarà disponibile a breve ed è possibile pre-ordinarlo sul sito dell’editore River Publishers.

 Rad-hard Semiconductor Memories è indirizzato a ricercatori e professionisti interessati a capire come fare design e valutazione preliminare di memorie a semiconduttori resistenti a radiazioni, basandosi sui processi standard di fabbricazione di semiconduttori CMOS, applicati in differenti fonderie e con diversi nodi tecnologici.

Copertina del libro "Rad-hard Semiconductor Memories"

Il libro si apre con una panoramica sugli effetti della radiazione nello spazio, in particolare sulle memorie, per far capire al lettore le ragioni di specifiche soluzioni di design. La seconda parte è dedicata alle tecniche RHBD (Radiation Hardening by Design) per componenti a semiconduttori, con un focus sempre sulle memorie.

Successivamente, gli autori affrontano le memorie SRAM (sincrone o  asincrone, a porta singola o doppia) e PROM (basate su tecnologie OTP AntiFuse), descrivendo come progettare una memoria flash resistente alle radiazioni e promuovendo la RHBD nei confronti di memorie emergenti come la ReRAM. Il libro si chiude proprio presentando le memorie emergenti ancora a uno stadio iniziale, non ancora pronte per un uso industriale ma che saranno possibilmente parte della prossima ondata di componenti resistenti alle radiazioni.